光刻胶市场
我国光刻胶市场规模2015年已达51.7亿元，同比增长11%，高于国际市场增速，但***占比仍不足15%，发展空间巨大。2015年我国光刻胶产量为9.75万吨，而需求量为10.12万吨，依照需求量及产量增速预计，未来仍将保持供不应求的局面。据智研咨询估计，得益于我国平面显示和半导体产业的发展，我国光刻胶市场需求，在2022年可能突破27.2万吨。在光刻胶生产种类上，我国光刻胶厂商主要生产PCB光刻胶，而LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，相关光刻胶主要依赖进口。放眼国际市场，光刻胶也主要被美国Futurrex 的光刻胶、日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、德国巴斯夫等化工寡头垄断。超过80%市场份额掌握在日本住友、TOK、美国陶氏、美国futurrex等公司手中，国内公司中，苏州瑞红与北京科华实现了部分品种的国产化，但是整体技术水平较低，仅能进入8英寸集成电路生产线与LED等产线。
光刻胶介绍
光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。***终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中***核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过***(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短***波长以极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及达到EUV(lt;13.5nm)线水平。NR9-3000PY负性光刻胶负胶NR9-3000PY被设计用于i线（365nm）***，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻和接触式光刻等工具。
目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断。
NR9-1000py
问题回馈：
1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。
A 据我所知，Futurrex
有几款胶很，NR7-1500P
NR7-3000P是专门为离子蚀刻
设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。
2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？
A 美国光刻胶，Futurrex
正胶PR1-2000A
, 去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。
3．你们是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的应用产品？
A 我们建议使用Futurrex
PR1-500A , 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，
反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高温的光阻是那一种？
A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS
silyiation process,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。
5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。
6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻***适合？
A 可以考虑使用Futurrex
，正型光阻PR1，负型光阻用NR1amp;NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．请问，那位***知道，RIE
Mask,用什么光阻比较好？
A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。
8．一般厚膜制程中，哪一种光阻***适合？
A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？
A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。
10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻***适合？
A 有一种胶很适合，美国Futurrex
生产的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers