氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，氧化锌晶体单晶厂家，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，氧化锌晶体单晶，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。555常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系，纤锌矿结构，点群为6mm，空间群为P6mc，z=2，a=0.32488mm，c=0.51969mm。znO晶体中，南宁氧化锌晶体，Z离子和O离子沿c轴交替堆积，(O001)面终结于正电荷Z离子，(0001)面终结于负电荷O离子，因此，氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；热 容：0.125 cal /g.m；热电常数：1200 mv/k @ 300 ℃；热 导：0.006 cal/cm/k。
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