MBE400 分子束外延系统设备组成
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超高真空蒸发沉积室 1套
该室主要是分子束外延沉积：极限真空度：5x10-8Pa；真空室检漏漏率：小于2.0x10-8 Pa.L/S；短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：5.0x10-4Pa,小于40分钟；
进样室1套
进样室极限真空： 6.6×10－5Pa；真空检漏漏率：10－7Pa.L/S短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：5.0x10-4Pa,小于40分钟；
探头规夹持、移动驱动机构1套
差分式高能电子衍射仪（RHEED）1套
电子衍射强度振荡生长速率监测系统1套
分子束蒸发源组件： 5套
分子束外延设备介绍
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分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂，要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看，当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体，而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，正转向针对Si半导体器件的应用开发。从MBE装置的角度看，逐步从单纯研究用装置向批量生产用装置进展。
