氧化锌（ZnO）单晶已被应用于表面声波(SAW)器件、气敏元件、压电元件、透明导 电体、压敏电阻等众多方面。作为氧化锌单晶的培养方法，已知有利用水热合成法的培养方法。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系，纤锌矿结构，点群为6mm，空间群为P6mc，z=2，a=0.32488mm，c=0.51969mm。znO晶体中，Z离子和O离子沿c轴交替堆积，(O001)面终结于正电荷Z离子，(0001)面终结于负电荷O离子，氧化锌晶体单晶，因此，氧化锌晶体单晶衬底基片，氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，氧化锌晶体，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。
生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等，但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时，需使用高浓度的碱溶液作矿化剂，因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁，以免遭受碱液的腐蚀。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。
氧化锌晶体衬底基片-氧化锌晶体-合肥合瑞达值得信赖(查看)由合肥合瑞达光电材料有限公司提供。合肥合瑞达光电材料有限公司（）拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是全网商盟认证会员，点击页面的商盟***图标，可以直接与我们***人员对话，愿我们今后的合作愉快！
