刻蚀工艺过程
以下内容由创世威纳为您提供，今天我们来分享刻蚀工艺过程的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！
等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。
离子束刻蚀
离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的.把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。
离子束加工(mM)利用具有较高能量的离子束射到材料表面时所发生的撞击效应、溅射效应和注入效应来进行不同的加工。由于离子束轰击材料是逐层去除原子，所以可以达到纳米级的加工精度。离子束加工按其工艺原理和目的的不同可以分为三种：用于从工件上去除材料的刻蚀加工、用于给工件表面涂覆的镀层加工以及用于表面改性的离子注入加工。由于电子束和离子束易于实现准确的控制，所以可以实现加工过程的全自动化，但是电子束和离子束的聚焦、偏转等方面还有许多技术问题尚待解决