计中牵扯到 2 个主要参数（LAB、 K），需同时满足目标值，所以将 LAB 进行优化设定，
而 K 值通过 sweep 生成多个拓扑结构进行选取。
（1） 先将‘turns’设置为 3，直接，看看默认这些物理参数条件下 LAB 大概是
多少，结果尽量在目标值 1.5nH 左右， 方便后续优化 sweep 迭代。
（2） 对 LAB 进行优化，选‘Outer Radius’进行调整，目标值 1.5n， 频率点就默认的
即可。（反正看的是全频段结果，在高频时应该感值会增加）
（3） Sweep 设置， 为了得到较多的物理拓扑结构， 选择 2 个物理尺寸进行扫描（线
宽 w 和线间距 S），将‘Width’和‘Spacing’设置为变量 w、 s 后，点击‘OK’，
会弹出变量设置对话框。设置 s、w 的起止尺寸和点数（注意不要违反 DRC rule）。
本例中 w 设置 6 个点， s 设置 5 个点，这样会有 30 个拓扑结构， 那么 K 值选择
范围会大些。
（4） 类型自行选择，本例为了快速，选择的低精度‘interconnect’。也仅生
成 nport 模型，没有勾选集总 PBM 模型。
1) 封装层进行器件综合时，由于金属层很厚，高频趋肤效应导致金属电流边沿分布。Peakview提供多电流层剖分（multi-sheet current），设计中可根据金属厚度，工作频率进行金属电流多层剖分，提升仿精度；
2) 支持多文件格式（如：Pcircuit file、ODB 、GDSII file）的导入、导出，方便不同格式来源的封装版图导入；
3) 提供版图合并功能，软件导入芯片版图和封装版图后，可完成多个***版图按需合并，对合并后的版图进行联合仿。在合并时，可以对版图进行旋转、坐标偏移设置，方便设计人员按照实际电路进行调整。
T-coil 是双端口桥式-T 网络的一种特例。 它有两个互相耦合的电感（两个电感常常对称
设计）， 和一个桥接电容组成，设计中还要考虑两个电感的耦合因子、 线上插损等因素。
当某个负载加到 T-coil 电路时， 从节点 1 或 2 处看到的阻抗比较特殊；以及这两个节点
到节点 3（一般连接负载电容的）的传输函数（Vout/Vin）特性也比较有研究价值。
以一个共源级 mos 为例来讲，其输出的负载电容为 CL。当高频时， CL 容抗很小， M1 的
小信号漏流被 CL 基本拉到地， 导致输出电压 Vout 降低， 增益在要求宽频范围内平坦度较
差， 导致较低的工作带宽。
解决思路一： 可以给负载电阻 RD 串联一个 LD（inductive peaking 方案）， 如下图（b），
电感的感抗会随频率增加，那么总的串联阻抗（RD jwL）会随频率增加，这样会在频率提升
过程中，迫使大量电流流经 CL，实现增益宽度一致性（增益大小会有所降低），是一种提升
工作带宽方法。
解决思路二： 可以在输出的信号路径中插入一个 T-coil， 如下图（c），下来可以分析在
这种情况下，传递函数（Vout/Vin）是个啥情况。