测井145度高温存储器
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所有的电子产品都必须用到存储器,而且通常用到不只一种存储器,由于存储器的种类繁多,常常让使用者混淆,我们简单说明不同存储器之间的差异,图三为手机主要芯片的系统方块图(System block diagram),包括:应用处理器(Application processor)、基带处理器(Baseband processor)、运动控制器(Motion Controller)。
225度高温精密存储器
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按存储器的性质分类 ⑴RAM随机存取存储器(Random Access Memory) CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,RAM又分为两类: ①SRAM静态RAM(Static RAM) 静态RAM速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(Cache memory)用它组成。 ②DRAM动态RAM(Dynamic RAM) DRAM内容在 或 秒之后自动消失,因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新(Refresh)。由于他的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成,因此他的集成成本较低,另外耗电也少,但是需要刷新电路。⑵ROM只读存储器(Read Only Memory) ROM存储器将程序及数据固化在芯片中,数据只能读出不能写入。电源关掉,数据也不会丢失。ROM按集成电路的内部结构可以分为:①PROM可编程ROM(Programable ROM )将设计的程序固化进去,ROM内容不可更改。②EPROM可擦除、可编程(Erasable PROM)可编程固化程序,且在程序固化后可通过紫外线光照擦除,以便重新固化新数据。③EEPROM电可擦除可编程(Electrically Erasable PROM) 可编程固化程序,并可利用电压来擦除芯片内容,以便重新固化新数据。
150度存储器25LC系列
北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器,此款存储器存储容量256kb,温度可到175度,很多客户采用串联方式使用,适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域,感兴趣的客户,欢迎来电咨询!
EEPROM与FRAM:EEPROM和FRAM的设计参数类似,存储器,但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下,用户仍会选择EEPROM而不是FRAM,其主要原因是成本(FRAM较为昂贵)、质量水平和供货情况。设计工程师常常使用成本较低的串行EEPROM,除非耐久性或速度是强制性的系统要求。DRAM和SRAM都是易失性存储器,尽管这两种类型的网络存储器存储器都可以用作程序存储器和数据存储器,但SRAM主要用于数据存储器。DRAM与SRAM之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电,厂家批发高温175度存储器,SRAM就能保持其数据,但DRAM只有极短的数据寿命,通常为4毫秒左右。与SRAM相比,DRAM似乎是毫无用处的,但位于微控制器内部的DRAM控制器使DRAM的性能表现与SRAM一样。DRAM控制器在数据消失之前周期性地刷新所存储的数据,所以存储器的内容可以根据需要保持长时间。由于比特成本低,DRAM通常用作程序存储器,所以有庞大存储要求的应用可以从DRAM获益。它的缺点是速度慢,但计算机系统使用高速SRAM作为高速缓冲存储器来弥补DRAM的速度缺陷。
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