氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，氧化锌晶体单晶批发，且束缚激子能高达60MeV，湖南氧化锌晶体，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，氧化锌晶体单晶供应商，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。
氧化锌（ZnO）单晶已被应用于表面声波(SAW)器件、气敏元件、压电元件、透明导 电体、压敏电阻等众多方面。作为氧化锌单晶的培养方法，氧化锌晶体单晶，已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法，是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。
氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。
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