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离子刻蚀简介

离子刻蚀是利用高能量惰性气体离子轰击被刻蚀物体的表面，达到溅射刻蚀的作用。因为采用这种方法，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。这是一种“通用”的刻蚀方式，可以在任何材料上形成图形。它的弱点是刻蚀速度较低，选择性比较差。传导耦合性等离子体刻蚀的优势在于刻蚀速率高、良好的物理形貌和通过对反应气体的选择，聚焦离子束刻蚀机，达到针对光刻胶和衬底的高选择比。一般用于对特征形貌没有要求的去胶(ashing，灰化)工艺。反应离子刻蚀是上述两种刻蚀方法相结合的产物，它是利用有化学反应性气体产生具有化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料，使表面受损，聚焦离子束刻蚀机品牌，提高被刻蚀材料表面活性，加速与活性刻蚀反应基团的反应速度，聚焦离子束刻蚀机厂家，从而获得较高的刻蚀速度。这种化学和物理反应的相互促进，使得反应离子刻蚀具有上述两种干法刻蚀所没有的优越性：良好的形貌控制能力(各向异性)、较高的选择比、可以接受的刻蚀速率。因此在于法刻蚀工艺中反应性离子刻蚀得到广泛应用。

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离子束刻蚀机

离子束分析具有一定能量的离子与物质相互作用会使其发射电子、光子、X射线等，聚焦离子束刻蚀机价格，还可能发生弹性散射、非弹性散射以及核反应，产生反弹离子、反冲核、γ射线、氢核、氚核、粒子等核反应产物，可以提供有关该物质的组分、结构和状态等信息。利用这些信息来分析样品统称离子束分析。在离子束分析方法中，比较成熟的有背散射分析X射线荧光分析、核反应分析和沟道效应（见沟道效应和阻塞效应）与其他分析相结合的分析方法等。此外，利用低能离子束还可作表面成分分析，如离子散射谱(ZSS)、次级离子质谱(SZMS)等。超灵敏质谱（质谱）、带电粒子活化分析、离子激发光谱、离子激发俄歇电子谱等正在发展中。用于离子束分析的MV级已有专门的商业化设备。

离子束刻蚀速率

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刻蚀速率是指单位时间内离子从材料表面刻蚀去除的材料厚度，单位通常为A/minnm/min.刻蚀速率与诸多因素有关，包括离子能量、束流密度、离子入射方向、材料温度及成分、气体与材料化学反应状态及速率、刻蚀生成物、物理与化学功能强度配比、材料种类、电子中和程度等。