为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号，就要使相互连接的各器件都处于较佳的工作状态，所以光电探测器要与被测信号、光学系统以及后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配。
探测率D
探测率D定义为NEP的倒数，这样D越大表明探测器的灵敏度越高。它表示单位入射辐射功率所产生的信噪比，当然，D值越大，表示器件的探测性能越好。 任何探测器都有噪声，比噪声起伏平均值更小的信号实际上检测不出来。产生如噪声那样大的信号所需的辐射功率，称为探测器能探测的较小辐射功率，或称等效噪声功率。有时用探测率描述探测器的灵敏度。
除此之外，还有一些重要的指标，如反映探测器噪声电平的暗电流Id，探测器的接收截面Ad（会影响灵敏度和时间响应），探测器随温度的变化特性，半导体光电探测器的结电容（决定了时间响应），以及较大反偏电压、光照功率允许范围等，在使用时都必须注意的。
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光电探测器主要应用：
单光子探测技术。通过记录逐个单光子产生的脉冲数目来检测及其微弱的光信号。
正电子发射扫描仪。光电倍增管与闪烁体组合七射线，确定患者体内碎灭电子的位置，而得到CT像。
光电导探测：利用了光电导效应，即由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象（是内光电效应的一种）。
光伏探测器：利用半导体PN结光伏效应制成的器件。
pn结中电子向P区，空穴向n区扩散，使p区带负电，n区带正电，形成由不能移动离子组成的空间电荷区（耗尽区），同时出现由耗尽层引起的内建电场，使少子漂移，并阻止电子和空穴继续扩散，达到平衡。在热平衡下，由于pn结中漂移电流等于扩散电流，净电流为零。
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光电探测器的应用
photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。
1873年，英国W。发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次***以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。
60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge：Au(锗掺金)和Ge：Hg光电导探测器。60年代末以后，HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。工作原理和特性光电导效应是内光电效应的一种。
