性能编辑超高亮度红A1GaAsLED与GaAsP-GaP LED相比，具有更高的发光效率，透明衬低(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w，比红色GaAsP-GaP LED大10倍。超高亮度InGaAlP LED提供的颜色与GaAsP-GaP LED相同包括：绿***(560nm)、浅绿***(570nm)、***(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm深红(640nm)。透明衬底A1GaInP LED发光效率与其它LED结构及白炽光源的比较，InGaAlP LED吸收衬底(AS)的流明效率为101m/w，透明衬底(TS)为201m/w，在590－626nm的波长范围内比GaAsP-GaP LED的流明效率要高10－20倍；在560－570的波长范围内则比GaAsP-GaP LED高出2－4倍。超高亮度InGaN LED提供了兰色光和绿色光，其波长范围兰色为450－480nm，兰绿色为500nm，绿色为520nm；其流明效率为3－151m/w。超高亮度LED的流明效率已超过了带滤光片的白炽灯，可以取代功率1w以内的白炽灯，而且用LED阵列可以取代功率150w以内的白炽灯。对于许多应用，白炽灯都是采用滤光片来得到红色、橙色、绿色和兰色，而用超高亮度LED则可得到相同的颜色。AlGaInP材料和InGaN材料制造的超高亮度LED将多个(红、兰、绿)超高亮度LED芯片组合在一起，不用滤光片也能得到各种颜色。包括红、橙、黄、绿、蓝，其发光效率均已超过白炽灯，正向荧光灯接近。发光亮度已高于1000mcd，可满足室外全天候、全色显示的需要，用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋，实现三维动画。新一代红、绿、蓝超高亮度LED达到了***的性能，可以实现拼接显示，采用BSV液晶拼接技术实现大画面高亮度显示。封装LED时顶部透镜的形状和LED芯片距顶部透镜的位置决定了LED视角和光强分布。
武汉鑫联科光电有限公司秉承以人为本的管理理念，遵循对用户负责的经营原则，精心打造***化团队。我们有着丰富的灯光工程设计施工管理经验，从根本上保证了工程的各项强度及性能指标。
现有常见的室内全彩方案的比较：点阵模块方案***早的设计方案，由室内伪彩点阵屏发展而来优势：原材料成本***有优势，且生产加工工艺简单，质量稳定。缺点：色彩一致性差，马赛克现象较严重，显示效果较差。
防静电措施对使用静电敏感电路人员进行静电知识和有关技术的培训。建立防静电工作区，在该区内使用防静电地板，防静电工作台，防静电接地引线以及防静电器具，并将该去相对湿度控制在40以上。静电对电子设备所造成的危害可能放生在从制造商到野外设备的任何地方。危害是由于没有充足，有效的训练和设备操纵失灵而引起的。LED是对静电敏感的设备。INGAN晶片通常被认为是“第1位”易受干扰的。而ALINGAP LEDS SHI “第二位”或更好的。ESD被损坏的设备能显示出暗淡，模糊，熄灭，短的或低VF或VR。ESD被损坏的设备不应不电子过载相混淆，如：因错误的电流设计或驱动，晶片挂接，电线屏蔽接地或封装，或普通的环境诱导压力等。ESD的安全和控制程序：大多数电子和电光学公司的ESD非常相似，并已经成功实现了所以设备的ESD控制，操纵和主程序。人眼能分辨的亮度等级越多，意味着显示屏的色空间越大，显示丰富色彩的潜力也就越大。这些程序因为ESD远古已经用于检测质量效果的仪器。ISO-9000认证也把他列如正常控制程序。
