光电探测器的几种类型
1、光发射－Schottky势垒探测器：
金属和半导体接触，典型的有PtSi/Si结构，形成Schottky势垒，红外光子透过Si层为PtSi吸收，电子获得能量跃上Fermi能级，留下空穴越过势垒进入Si衬底，PtSi层的电子被收集，完成红外探测。充分利用Si集成技术，便于制作，具有成本低、均匀性好等优势，可做成大规模1024×1024甚至更大、焦平面阵列来弥补量子效率低的缺陷。有严格的低温要求。用这类探测器，国内外已生产出具有像质良好的热像仪。PtSi/Si结构FPA是较早制成的IRFPA。
2、量子阱探测器QWIP：
将两种半导体材料A和B用人工方法薄层交替生长形成超晶格，在其界面，能带有突变。电子和空穴被限制在低势能阱A层内，能量量子化，称为量子阱。利用量子阱中能级电子跃迁原理可以做红外探测器。90年代以来发展很快，已有512×512、640×480规模的QWIPGaAs/AlGaAs焦平面制成相应的热像仪诞生。因为入射辐射中只有垂直于超晶格生长面的电极化矢量起作用，光子利用率低；量子阱中基态电子浓度受掺杂限制，量子效率不高；响应光谱区窄；低温要求苛刻。人们正深入研究努力加以改进，可望与碲镉探测器一争高低。
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光电探测器
光电探测器由于体积小，重量轻，响应速度快，灵敏度高，易于与其它半导体器件集成，是光源的理想探测器，可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。
现代性能较高的光通信、信号处理和测量系统，需要光电探测器必须具有高的响应速度和高的灵敏度。对于高带宽的光信号探测，需要光电探测器的典型结构是薄的光吸收区。
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。
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光电探测器的性能指标
光电探测器的性能指标主要由量子效率、响应度、响应速度和本征带宽、光电流，暗电流和噪声等指标组成：
1、量子效率
2、响应度
定义为光电探测器产生光电流与入射光功率比，单位通常为 A/W。响应度与量子效率的大小有关，为量子效率的外在体现
3、响应速度和反应带宽：
响应速度可以用光生载流子的渡越时间表示，载流子的渡越时间外在的频率响应的表现就是探测器的带宽。光生载流子的渡越时间在光生电流变化中表现为两部分：上升时间和下降时间。通常取上升时间和下降时间中的较大者衡量探测器的响应速度。
北京康冠世纪光电科技有限公司位于中国“硅谷”——中关村，致力于服务国内***研机构、研究院所及企***科研人员的科技型企业。康冠光电于2007年成立，通过公司研发团队多年的自主创新，在高速电光调制、高速光电探测、高灵敏度光电探测、射频光纤传输领域已处于国内同行较高的水平。相应系列产品自推向市场以来，以其稳定、优越的产品性能赢得国内用户的一致好评。
