脉冲激光沉积系统配置介绍
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脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。
脉冲激光沉积系统的特点有哪些？
? 超高真空不锈钢腔体
? 可集成热蒸发源或溅射源
? 可旋转的耐氧化基片加热台
? 流量计或针阀准确控制气体流量
? 标准真空计? 干泵与分子泵
? 可选配不锈钢快速进样室
? 可选配基片-靶材距离自动控制系统
? 是金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格的较佳设备
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脉冲激光沉积的自动化
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自动化装置：
控制样品温度和旋转
靶台的位置控制
靶台旋转
气体控制
速率及厚度计算（利用QCM输出）
激光束扫描（可选）
激光束屏蔽控制
自动泵抽和充气
差分泵抽结构
RHEED分析（可选）
装载室压强监控（可选）
