数字ic 设计流程-数字ic设计-驱动芯片电子驱动ic

由于当今集成电路设计行业各个阶段的相对***性，同时芯片设计与芯片制造过程分离的产业形式，导致攻击者可能在芯片设计与制造环节中，数字ic设计，将带有特定恶意功能的“硬件木马”电路植入到芯片内部的硬件电路中。然而，集成电路芯片早已广泛应用于国民经济的各个领域，一旦遭受“硬件木马”攻击，必给社会各方面带来严重后果。

首先根据AES算法原理，设计并优化了一个128位的AES加密电路，并将其作为原始参考设计，在其中实现各种不同类型的硬件木马，然后从以下三个相对***的方向着手来探索数字IC设计领域中硬件木马的特性与检测方法：FPGA设计流程，首先在片上实现我们的原始AES加密设计以及植入有木马的AES设计，然后利用Nios II软核处理器搭建测试平台，来进行AES模块的测试以及其中硬件木马的检测；ASIC设计流程，通过完成原始AES加密模块和植入有木马的AES设计的后端实现并比较例如时钟树结构之类的***信息、旁路信息，探索数字ASIC设计中检测硬件木马的潜在方法；电路的概率签名理论，首先简要介绍这一理论的数学原理，然后尝试运用其来分析我们的AES设计中某一功能模块的等价性。

杂质半导体 在本征半导体中，如果掺入微量的杂质(某些特殊元素)，将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电能力显著改变。根据掺入杂质性质的不同，数字ic设计个验证待遇比较，杂质半导体分为电子型半导体(N型)和空穴型半导体(P型)两大类。

1.N型半导体

若在纯净的硅晶体中掺入微量的五价元素(如磷)，这样，硅原子占有的某些位置会被掺入的微量元素(如磷)原子所取代。而整个晶体结构基本不变。磷原子与硅原子组成共价键结构只需四个价电子，而磷原子的外层有五个价电子，多余的那个价电子不受共价键束缚，只需获得很少的能量就能成为自由电子。由此可见，掺入一个五价元素的原子，就能提供一个自由电子。必须注意的是，产生自由电子的同时并没有产生空穴，但由于热运动原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。所以，只要在本征半导体中掺入微量的五价元素，就可以得到大量的自由电子，且自由电子数目远比掺杂前的电子空穴对数目要多得多。

这种以自由电子导电为主要导电方式的杂质半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。N型半导体中存在着大量的自由电子，这就提高了电子与空穴的复合机会，数字ic设计 笔试，相同温度下空穴的数目比掺杂前要少。所以，在N型半导体中，电子是多数载流子(简称多子)，空穴是少数载流子(简称少子)。N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质浓度越高，自由电子数目越大，导电能力也就越强。

在N型半导体中，一个杂质原子提供一个自由电子，当杂质原子失去一个电子后，就变为固定在晶格中不能移动的正离子，但它不是载流子。因此，N型半导体就可用正离子和与之数量相等的自由电子去表示。

应用验证是指导IC元器件在系统中的可靠应用的关键，***要关注应用系统对器件接口信号的影响，因此无论是采用纯软件还是软硬件协同的方式进行应用验证都需要先完成应用系统的PCB工作。本文提出的应用验证技术方案以基IBIS模型在多个平台进行PCB SI(Signal Integrity)的方式提取出所需的数据，实现对系统应用环境的模拟;在此基础上通过软件和软硬件协同两种方法来实现数字IC器件的应用验证。为保证应用验证的顺利进行，对方案中涉及到的IBIS建模、PCB SI和S参数的提取及等技术进行了研究。

提出的应用验证技术方案的指导下，以SRAM的应用验证为例进行了相关的技术探索。首先对IBIS模型建模技术进行了深入研究，并完成了SRAM以及80C32等相关IC器件的IBIS模型建模工作;接着基于IBIS模型进行PCB SI，数字ic 设计流程，模拟了SRAM的板级应用环境并提取了应用验证所需的数据;后分别对适用于SRAM的软件平台和软硬件协同平台进行了相关设计，并完成了SRAM的应用验证。通过对SRAM的应用验证，证明了本文所提出的应用验证技术方案的可行性。