氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高性1能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌（ZnO）与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长***理想的衬底材料。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间群为P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
氧化锌（ZnO）单晶已被应用于表面声波(SAW)器件、气敏元件、压电元件、透明导 电体、压敏电阻等众多方面。作为氧化锌单晶的培养方法，已知有利用水热合成法的培养方法。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间群为P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。
