企业资质

深圳市瑞泰威科技有限公司

普通会员6
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企业等级:普通会员
经营模式:经销批发
所在地区:广东 深圳
联系卖家:范清月
手机号码:18002501187
公司官网:www.rtwkj.com
企业地址:深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511
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企业概况

深圳瑞泰威科技有限公司是国内IC电子元器件的代理销售企业,**从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售,品类齐全,具备上百个型号。与国内外的东芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶准等均稳定合作,保证产品的优良品质和稳定供货。自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了工控类IC、光通信类IC、无......

车载数字电视-通信公司电子驱动ic-番禺区车载数字

产品编号:1500445540                    更新时间:2020-05-23
价格: 来电议定
深圳市瑞泰威科技有限公司

深圳市瑞泰威科技有限公司

  • 主营业务:各类驱动IC,存储IC,传感器IC,触摸IC销售,
  • 公司官网:www.rtwkj.com
  • 公司地址:深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511

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范清月 18002501187

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产品详情





数字IC的特点是什么?

瑞特威科技为你讲解数字IC的特点:

01生命周期可长达10年。

数字IC强调的是运算速度与成本比,数字IC设计的目标是在尽量低的成本下达到目标运算速度。设计者必须不断采用更的算法来处理数字信号,或者利用新工艺提高集成度降低成本。因此数字IC的生命周期很短,大约为1年-2年。

02工艺特殊少用CMOS工艺

数字IC多采用CMOS工艺,而模拟IC很少采用CMOS工艺。因为模拟IC通常要输出高电压或者大电流来驱动其他元件,而CMOS工艺的驱动能力很差。此外,模拟IC关键的是低失真和高信噪比,这两者都是在高电压下比较容易做到的。而CMOS工艺主要用在5V以下的低电压环境,并且持续朝低电压方向发展。





03与元器件关系紧密

对于数字电路来说是没有噪音和失真的,数字电路设计者完全不用考虑这些因素。此外由于工艺技术的限制,模拟电路设计时应尽量少用或不用电阻和电容,特别是高阻值电阻和大容量电容,只有这样才能提高集成度和降低成本。

某些射频IC在电路板的布局也必须考虑在内,而这些是数字IC设计所不用考虑的。因此模拟IC的设计者必须熟悉几乎所有的电子元器件。



IC产品的温馨提示

提示:湿度总是困扰在电子系统背后的一个难题。不管是在空气流通的热带区域中,还是在潮湿的区域中运输,潮湿都是显著增加电子工业开支的原因。由于潮湿敏***元件使用的增加,诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ballgrid array)使得对这个失效机制的关注也增加了。基于此原因,电子制造商们必须为预防潜在灾难***高昂的开支。

吸收到内部的潮气是半导体封装问题。当其固定到PCB 板上时,回流焊快速加热将在内部形成压力。这种高速膨胀,取决于不同封装结构材料的热膨胀系数(CTE)速率不同,可能产生封装所不能承受的压力。当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下,陷于塑料的表面贴装元内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。




常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、金线焊接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。在一些极端的情况中,裂纹会延伸到元件的表面;严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。尽管现在,进行回流焊操作时,车载数字计数器,在180℃ ~200℃时少量的湿度是可以接受的。然而,车载数字电视,在230℃ ~260℃的范围中的无铅工艺里,任何湿度的存在都能够形成足够导致***封装的小(爆米花状)或材料分层。

必须进行明智的封装材料选择、仔细控制的组装环境和在运输中采用密封包装及放置干燥剂等措施。实际上国外经常使用装备有射频标签的湿度跟踪系统、局部控制单元和专用软件来显示封装、测试流水线、运输/操作及组装操作中的湿度控制。②THB: 加速式温湿度及偏压测试(Temperature Humidity Bias Test )

目的: 评估IC产品在高温,高湿,偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程测试条件: 85℃,85%RH, 1.1 VCC, Static bias


P型半导体

在纯净的硅(或锗)晶体内掺入微量的三价元素硼(或铟),因硼原子的外层有三个价电子,当它与周围的硅原子组成共价键结构时,番禺区车载数字,会因缺少一个电子而在晶体中产生一个空穴,掺入多少三价元素的杂质原子,就会产生多少空穴。因此,这种半导体将以空穴导电为其主要导体方式,车载数字电视没有信号,称为空穴型半导体,简称P型半导体。必须注意的是,产生空穴的同时并没有产生新的自由电子,但原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。


从以上分析可知,不论是N型半导体还是P型半导体,它们的导电能力是由多子的浓度决定的。可以认为,多子的浓度约等于掺杂原子的浓度,它受温度的影响很小。在一块硅片上采用不同的掺杂工艺,一边形成N型半导体,一边形成P型半导体,则在两种半导体的交界面附近形成PN结;PN结是构成各种半导体器件的基础。




1.PN结的形成

在一块硅或锗的晶片上,采取不同的掺杂工艺,分别形成N型半导体区和P型半导体区。由于N区的多数载流子为电子(即电子浓度高),少子为空穴(空穴浓度低),而P区正相反,多数载流子为空穴(即空穴浓度高),少子为电子(电子浓度低);在P区与N区的交界面两侧,由于浓度的差别,空穴要从浓度高的P区向浓度低的N区扩散,N区的自由电子要向P区扩散,由于浓度的差别而引起的运动称为扩散运动。这样,在P区就留下了一些带负电荷的杂质离子,在N区就留下了一些带正电荷的杂质离子,从而形成一个空间电荷区。这个空间电荷区就是PN结。在空间电荷区内,只有不能移动的杂质离子而没有载流子,所以空间电荷区具有很高的电阻率。


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