反应性离子刻蚀
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反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，聚焦离子束刻蚀机厂家，挥发或游离出板面，聚焦离子束刻蚀机报价，这样的方法称为反应性离子刻蚀。
离子束刻蚀
离子束加工(mM)利用具有较高能量的离子束射到材料表面时所发生的撞击效应、溅射效应和注入效应来进行不同的加工。由于离子束轰击材料是逐层去除原子，所以可以达到纳米级的加工精度。离子束加工按其工艺原理和目的的不同可以分为三种：用于从工件上去除材料的刻蚀加工、用于给工件表面涂覆的镀层加工以及用于表面改性的离子注入加工。由于电子束和离子束易于实现准确的控制，聚焦离子束刻蚀机，所以可以实现加工过程的全自动化，但是电子束和离子束的聚焦、偏转等方面还有许多技术问题尚待解决
离子束刻蚀机
离子束加工的应用范围正在日益扩大，不断创新。
目前用于改变零件尺寸和表面物理力学性能的离子束加工工艺主要有用于从工件上作去除加工的离子刻蚀加工、用于给工件表面添加的溅射镀膜和离子镀膜加工以及用于表面改性的离子注入加工。
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