





磁控溅射的原理
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成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。
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磁控溅射原理
溅射过程即为入射离子通过--系列碰撞进行能量和动量交换的过程。
电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与Ar原子发生碰撞,电离出大量的Ar离子和电子,电子飞向基片,在此过程中不断和Ar原子碰撞,自动磁控溅射镀膜机报价,产生更多的Ar离子和电子。Ar离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。
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磁控溅射种类
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,自动磁控溅射镀膜机,从而增大电子撞击Ar产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜,非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同,自动磁控溅射镀膜机厂家,大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等,两极磁力线闭合于靶面,很好地将电子/等离子体约束在靶面附近,增加碰撞几率,提高了离化效率,因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电,靶材利用率相对较高,但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面,基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念,即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极,两极磁力线在靶面不完全闭合,部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域,自动磁控溅射镀膜机品牌,从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片,增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡,若磁铁静止,其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率,可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构,同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备,多用磁场静止靶源。
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