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深圳市瑞泰威科技有限公司

普通会员6
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经营模式:经销批发
所在地区:广东 深圳
联系卖家:范清月
手机号码:18002501187
公司官网:www.rtwkj.com
企业地址:深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511
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深圳瑞泰威科技有限公司是国内IC电子元器件的代理销售企业,**从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售,品类齐全,具备上百个型号。与国内外的东芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶准等均稳定合作,保证产品的优良品质和稳定供货。自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了工控类IC、光通信类IC、无......

生产电子驱动ic厂家-天河区驱动ic厂家

产品编号:1513230140                    更新时间:2020-05-28
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深圳市瑞泰威科技有限公司

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  • 主营业务:各类驱动IC,存储IC,传感器IC,触摸IC销售,
  • 公司官网:www.rtwkj.com
  • 公司地址:深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511

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产品详情





LED灯的“电源”和“驱动电源”有什么区别?

概括地说,LED驱动也是开关电源的一种,只是它有几点特殊性,也是这类开关电源的共性,所以习惯上把它分类称为LED驱动了.这几点特殊性是:

1、它的电压输出是3.2的倍数,就是说电压输出的形式为3.2V、6.4V.9.6V、12.8V.....,但一般不超过25.6V,因为超过这个数后,在开启LED的时候,会因产品的一至性不好而发生瞬间烧掉后导通的那只LED的可能性.而这个电压也不是恒定的,而是随负载的变化而变化,以达到恒流的目的.

2、它的输出电流是恒定的,理想的电路是无论LED的特性曲线怎么变化,驱动电源的电流保持不变.但限于元件精度,还是会有少量的变化的,而这个变化也是判断驱动电路是否的重要参数,LED的导通与电压的函数是一个非线性的“三段”关系,天河区驱动ic厂家,所以保持恒流非常重要.




3、它的启动是软启动.由于LED的一致性非常差,并且在导通时内部PN结的活性发生瞬间变化,所以LED的驱动一般设计为软启动,来避开这个缺陷.

4、它的电路要求,因为很多时候,要求电路装在一个很小的空间里,以配合LED照明的方便性,所以电路应尽可能的简单,led驱动ic厂家,这样也能节约成本、减少能耗.

5、它一般不要求隔离,因为很多产品是类似于普通照明灯一样的结构,安全方面可与照明灯相仿就是,但这第5条是一个“选读项”,大家在了解的时候不要有误解,因为有的驱动还是需要隔离的,这个特点只适用于我们目前流行的电路,led显示屏驱动ic厂家有哪些,而不一定适合以后的电路发展需要.

综上所述,可以认为:软启动、恒流、阶跃电压、电路简单是它的特点.



液晶显示驱动之静态驱动法介绍

静态数据驱动器法是取得好显示信息品质的基础的方式。它适用笔段型液晶显示屏元器件的驱动器。表一示出该类液晶显示屏元器件的电级构造,当多名数字组合时,诸位的背电级BP是联接在一起的。



震荡器的差分信号经分音器后立即释放在液晶显示屏元器件的背电级BP上,而段电级的差分信号是由显示信息挑选数据信号A与时序单脉冲根据逻辑性异或生成造成,当一位显示信息清晰度被显示信息挑选时,A=1,该显示信息清晰度上两电级的单脉冲工作电压位置相距180.,在显示信息清晰度上造成2V的工作电压脉冲序列,使该显示信息清晰度展现显示信息特点;当一位显示信息清晰度为非显示信息挑选时,A=0,该显示信息清晰度上两电级的单脉冲工作电压位置同样,在显示信息清晰度上生成工作电压单脉冲为0V,进而完成无法显示的实际效果。这就是静态数据驱动器法。以便提升显示信息的饱和度,适度地调节单脉冲的工作电压就可以。


IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点:击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,摄像头驱动ic厂家***,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。




若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u级的漏电流流过,基本上不消耗功率。



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