铝酸镧（LaAlO3）具有大的禁带宽度(5-6eV)，高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基1金属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的***佳替代材料。铝酸镧（LaAlO3）晶体介电常数和介电损耗随测量频率的变化，在1kHz~500MHz的频率范围内，测量温度为20°C，随频率的增加介电常数略有降低，介电损耗在整个测量频率范围内小于1ˇ10-3，铝酸镧晶体批发，说明LaAlO3晶体的高频性能较好。
LaAlo3晶体是以一定化学配比的La2O3和A2O3为原料，在2100℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光制成5×10m2的 LaAlo3晶片，北京铝酸镧晶体，晶向为[01].无退火的LaAO3晶体呈淡***透明，铝酸镧晶体供应商，在氧气氛下退火后呈棕色。
LaAlO3在常温下结构的空间群为R3c，铝酸镧晶体单晶衬底基片，晶格参数为a=0.5357nm和a=60°6′。LaAlO3晶体是以定化学配比的La2O3和Al2O3为原料，在200℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光，制成5×10mm2的LaAlO3晶片，晶向为[001]。
铝酸镧（LaAlO3）晶体有较低的介电损耗，与ZrO2、 SrTio3、蓝宝石等衬底材料相比，综合性能更为理想。产品规格：常规尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ；常规晶向：lt;100gt;、lt;110gt;、lt;111gt;；晶向公差： /-0.5度；抛光情况：单抛或双抛 （lt;110gt; Ralt;15A，lt;100gt;和lt;111gt; Ralt;5A）。注：可按照客户要求加工尺寸及方向。
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