氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，氧化锌晶体批发，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，天津氧化锌晶体，其可直接跃 迁，氧化锌晶体单晶衬底基片，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作***的发光器件材料。
常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系，纤锌矿结构，点群为6mm，空间群为P6mc，z=2，a=0.32488mm，氧化锌晶体单晶批发，c=0.51969mm。znO晶体中，Z离子和O离子沿c轴交替堆积，(O001)面终结于正电荷Z离子，(0001)面终结于负电荷O离子，因此，氧化锌（ZnO）单晶具有极性。采用化学气相法在加热温度为300~500℃下进行试验，加热温度对氧化锌（ZnO）晶体的外观形貌有很重要的影响。
氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高1性能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌（ZnO）与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长理想的衬底材料。同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
天津氧化锌晶体-合肥合瑞达优质材料-氧化锌晶体单晶衬底基片由合肥合瑞达光电材料有限公司提供。合肥合瑞达光电材料有限公司（）拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟***图标，可以直接与我们***人员对话，愿我们今后的合作愉快！
