氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作***的发光器件材料。氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。
氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，ZnO晶体基片价格，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作***的发光器件材料。
氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，ZnO晶体基片公司，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，南京ZnO晶体，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。氧化锌（ZnO）与GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶体生长***理想的衬底材料。
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