电光调制器的原理
电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向。
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电光调制器的设计与选择
调制晶体对电光调制的效果影响显著，在选择晶体时应注意以下几点：光学性能好，折射率均匀，吸收色散损耗小，透明度高，电光系数大，物理性能优越等等。目前较常用的晶体材料包括铌酸锂和KDP类晶体，由于KDP类晶体的物理性能不佳，容易发生潮解，因此其调制性能往往受到环境限制，而铌酸锂晶体则具有优越的透光性和物理性能，是电光调制晶体设计的理想材料。
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电光调制器
电光调制器作为光纤链路里必不可少的器件，其性能的优略严重影响着系统信号的发射和接收。目前市场上使用普遍的主要是电光调制器EOM和电吸收调制器EAM。电光调制器，特点：插入损耗小、消光比高，调制深度和带宽大。
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