氧化镁（MgO）是镁的氧化物，一种离子化合物。常温下为一种白色固体。氧化镁以方镁石形式存在于自然界中，是冶镁的原料。氧化镁有高度耐火绝缘性能，经1000℃以上高温灼烧可转变为晶体。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 A；熔点（℃）：2800；纯度：99.95%；密度（g/cm3）：3.58；硬度：5.5（mohs）；热膨胀系数（/℃）：11.2x10-6；晶体解理面：lt;100gt;；光学透过：gt;90%（200~400nm），gt;98%（500~1000nm）；介电常数：ε= 9.65；热导率（卡／度 厘米 秒）：0.14 300°K。
目前生产氧化镁晶体的主流技术是电弧炉熔融法。主要通过高温电弧作热源在原料中心形成熔体，在加热过程停止后熔体经自然冷却得到晶体。传统的电弧炉的结构较为简单，炉壳是由耐火砖与钢壳构成，电极的功率和位置控制主要是靠经验手动操作。由于氧化镁(MgO)单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2"及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。具有很大的现实及潜在应用市场。
随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，氧化镁(MgO)单晶的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧化镁(MgO)单晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之间，甚至更大。氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。在高温超导领域，氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。
