镀膜理论
镀膜控制穿过光学干涉机制的反射光和透射光。当两个光束沿着同步路径传输及其相位匹配时，波峰值的空间位置也匹配并将结合创建较大的总振幅。当光束为反相位（180°位移）时，其叠加会导致在所有峰值的消减效应，导致结合的振幅降低。这些效应被分别称为建设性和***性的干涉。
光的波长和入射角通常是的，折射率和层厚度则可以有所不同以优化性能。上述的任何更改将会影响镀膜内光线的路径长度，并将在光透射时改变相位值。这种效应可简单地通过单层增透膜例子说明。当光传输穿过系统时，在镀膜任一侧的两个接口指数更改处将出现反射。为了尽量减少反射，我们希望它们在个接口重组时，这两个反射部分具有180°的相位移。这个相位差异直接对应于aλ/2位移的正弦波，它可通过将层的光学厚度设置为λ/4获得良好实现。
AR AF溅射镀膜机有哪些特点
专门为层数不多但要求产能大、效率高的光学薄膜产品镀膜生产而设计，适用于玻璃和塑胶光学镜片、眼镜片AF、AS膜的镀膜生产，也适用于手机视窗(玻璃或塑胶)、塑胶片材彩色光学膜的制备。旋转阴极装置与行内普通平面靶装置相比靶材使用周期与利用效率显著提高。可客制化的基板工件架结构定制，给客户产品摆放达到利用空间。***率真空泵组配比与精密的腔体结构使我司抽气效率达到行业水平。至成专利RF离子源具有工作范围广能量均衡，高离化率，超稳定工作效率，低耗能等特点。可生产高折射率氮化薄膜，提高薄膜硬度性能。低温成膜，可应对各种用途。可依靠负载锁定装置保持稳定的成膜品质。利用自动溅射控制装置，使溅射工艺实现了自动化。可选“校正板外部调节机构”。
真空镀膜机溅射工艺
真空镀膜机溅射工艺主要用于真空镀膜机溅射刻蚀和薄膜沉积两个方面。溅射刻蚀时，被刻蚀的材料置于靶极位置，受Ar离子的轰击进行刻蚀。刻蚀速率与靶极材料的溅射产额、离子流密度和溅射室的真空度等因素有关。真空镀膜机溅射刻蚀时，应尽可能从真空镀膜机溅射室中除去溅出的靶极原子。常用的方法是引入反应气体，使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体，通过真空系统从溅射室中排出。沉积薄膜时，溅射源置于靶极，受Ar离子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的，则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜；若在溅射室内有意识地引入反应气体，使之与溅出的靶材原子发生化学反应而淀积于衬底，便可形成靶极材料的化合物薄膜。通常，制取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接进行溅射而得。在溅射中，溅出的原子是与具有数千电子伏的高能离子交换能量后飞溅出来的，其能量较高，往往比蒸发原子高出1～2个数量级，因而用溅射法形成的薄膜与衬底的粘附性较蒸发为佳。
若在溅射时衬底加适当的偏压，可以兼顾衬底的清洁处理，这对生成薄膜的台阶覆盖也有好处。另外，用真空镀膜机溅射法可以制备不能用蒸发工艺制备的高熔点、低蒸气压物质膜，便于制备化合物或合金的薄膜。溅射主要有离子束溅射和等离子体溅射两种方法。离子束溅射装置中，由离子枪提供一定能量的定向离子束轰击靶极产生溅射。离子枪可以兼作衬底的清洁处理和对靶极的溅射。为避免在绝缘的固体表面产生电荷堆积，可采用荷能中性束的溅射。中性束是荷能正离子在脱离离子枪之前由电子中和所致。离子束溅射广泛应用于表面分析仪器中，对样品进行清洁处理或剥层处理。由于束斑大小有限，用于大面积衬底的快速薄膜淀积尚有困难。等离子体真空镀膜机溅射也称辉光放电溅射。产生溅射所需的正离子来源于辉光放电中的等离子区。靶极表面必须是一个高的负电位，正离子被此电场加速后获得动能轰击靶极产生溅射，同时不可避免地发生电子对衬底的轰击。
