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光电探测器的概述

光电探测器的工作原理

光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，它区别于光子探测器的特点是对光辐射的波长无选择性。

光电导器件：利用具有光电导效应的材料做成的光电探测器称为光电导器件，四光束光电探测器，通常叫做光敏电阻。在可见光波段和大气透过的几个窗口，四光束光电探测器厂家，即近红外、中红外和远红外波段，都有适用的光敏电阻。光敏电阻被广泛地用于光电自动探测系统、光电跟踪系统、制导、红外光谱系统等。

光电探测器

光电探测器光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电探测器用途很广，主要用于专门用于肉类、菌类、糖果、饮料、粮食、果蔬、乳制品、水产品、、添加剂和调味品等食品中的铁金属以及非铁金属杂质的检测。

光电探测器工作原理

光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，四光束光电探测器品牌，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eglt;hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。

当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，四光束光电探测器价格，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图 画出了几种常用半导体材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。