美国Futurrex 的 光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）***工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，负性光刻胶公司，可以定制光刻速度来***产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据***能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，江苏负性光刻胶，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。属固含量（%）：31-35 主要溶剂： 外观： 浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷 100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。
光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、***和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，负性光刻胶价格，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶***外面形成一层坚硬的外壳。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶***外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
问题回馈：
1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。
A 据我所知，Futurrex
有几款胶很，NR7-1500P
NR7-3000P是专门为离子蚀刻
设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。
2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？
A 美国光刻胶，Futurrex
正胶PR1-2000A
， 去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。
3．你们是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的应用产品？
A 我们建议使用Futurrex
PR1-500A ， 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，
反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高温的光阻是那一种？
A Futurrex， NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS
silyiation process，可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide，可耐高温250度以上。
5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？
A Futurrex ， NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。
6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻***适合？
A 可以考虑使用Futurrex
，正型光阻PR1，负型光阻用NR1amp;NR7，它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．请问，那位***知道，负性光刻胶多少钱，RIE
Mask，用什么光阻比较好？
A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。
8．一般厚膜制程中，哪一种光阻***适合？
A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？
A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。
10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻***适合？
A 有一种胶很适合，美国Futurrex
生产的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY，都适合在OLED制程中做spacers
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