真空镀膜的方法很多，计有：
(1)真空蒸镀：将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室，抽空后将膜料加热到高温，使蒸气达到约13.3Pa而使蒸气分子飞到基体表面，凝结而成薄膜。
(2)阴极溅射镀：将需镀膜的基体放在阴极对面，把惰性气体(如)通入已抽空的室内，保持压强约1.33～13.3Pa，然后将阴极接上2000V的直流电源，便激发辉光放电，带正电的离子撞击阴极，使其射出原子，溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。(2)在真空条件下制备薄膜，环境清洁，薄膜不易受到污染，因此可获得致密性好、纯度高和涂层均匀的薄膜。
(3)化学气相沉积：通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物，获得沉积薄膜的过程。
(4)离子镀：实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合，兼有两者的工艺特点。表6-9列出了各种镀膜方法的优缺点。
溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。
溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较一般。以pld
为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。(4)离子镀：实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合，兼有两者的工艺特点。对于不同的溅射材料和基片，***佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精i确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。MBE分子束外沿镀膜技术，已经
比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的一体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。
上述四种都属于物***相沉积技术应用（PVD）。
接下来是化学气相沉积（CVD）。它是以化学反应的方式制作薄膜，原理是一定温度下，将含有制膜材料的反应气体通到基片上并被吸附，在基片上产生化学反应形成核，随后反应生成物脱离基片表面不断扩散形成薄膜。
束流沉积镀，结合了离子注入与气相沉积镀膜技术的离子表面复合处理技术，是一种利用离化的粒子作为蒸镀材料，在比较低的基片温度下，形成具有良好特性薄膜的技术。
