光电探测器的发展历史
起初用来探测可见光辐射和红外辐射的光电探测器是热探测器。其中，热电偶早在1826年就已发明出来。1880年又发明了金属薄膜测辐射计。光电探测器的光电转换特性光电探测器的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。1947年制成了金属氧化物热敏电阻测辐射热计。1947年又发明了气动探测器。经过多年的改进和发展，这些光电探测器日趋完善，性能也有了较大的改进和提高。
从20世纪50年代的时候开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作，发现它具有许多独特的优点，一度使这个领域研究很活跃。但是，与光子探测器相比，这些光电探测器的探测率仍较低，时间常数也较大。
应用广泛的光子探测器，除了发展较早、技术上也较成熟、响应波长从紫光到近红外的光电倍增管以外，硅和锗材料制作的光电二极管、铅锡、Ⅲ～Ⅴ族化合物、锗掺杂等光电探测器，目前均已达到相当成熟的阶段，主要性能已接近理论极限。
1970年以后又出现了一种利用光子牵引效应制成的光子牵引探测器。其主要用于CO2激光的探测。当需要施加高电压或者探测非常小电压时，就会使器件尺寸变大，成本变高。八十年代中期，出现了利用掺杂的GaAs/AlGaAs材料、基于导带跃迁的新型光探测器——量子阱探测器。这种器件工作于8～12μm波段，工作温度为77K。
光电探测器
光电探测器是将光脉冲转换成电信号的元器件，在LiDAR系统中充当“眼睛”的角色，是关键的传感器。其中非常灵敏的一类为雪崩光电二极管，有时甚至可以用于光子计数。目前主要的光电探测器有雪崩光电二极管（***alanche PhotonDiode，简称APD）/单光子雪崩二极管（SinglePhoton ***alanche Diode，简称SPAD）、硅光电倍增管（MPPC）和PIN光电二极管。
光电探测器的分类
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光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。
1. 光电二极管（PIN）：应用于一般通用场合。针对特殊应用，可以增加探测器信号放大和探测器前置滤光片。
2. 雪崩光电管（APD）：主要用于微弱信号场合，同时具备快速响应能力，可以提供各种尺寸和封装类型。
3. 四象限探测器（Quadrant）：主要应用于位置传感。
4. 位敏探测器（PSD）：入射光能量转换为位置相对的连续电流输出，位置信号是相对于入射光的“光学中心”。
5. 波长敏感探测器（WS）：用于检测单色光波长或复合光的峰值波长，光谱分辨率可达0.01nm。
应用范围：安全防护，激光测距，工业控制，分析仪器，光通讯。
