真空泵碳片
硅化石墨的制备
硅化石墨的生产方法主要有三种化学气相沉积法(CVD),化学气相反应法(CVR)及液硅渗透反应法。
1.化学气相沉积(CVD))法
使含硅、碳的气体通过高温石墨基体发生热分解,真空泵碳片,生成SiC沉积在石墨基体表面。原料为(CH3SiC3)、氢、硅蒸气等。沉积温度范围较宽,连平真空泵碳片,从1175℃到1775℃。用此法生成的SiC层非常致密,厚薄均匀,一般厚度约为0.1~0.3mm。但SiC与石墨基体的结合为纯机械结合,结合力较弱,在温度急变时SiC层易发生龟裂、剥落。






真空泵碳片的***方法
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碳片更换***方法:
1.安装更换真空泵碳片之前清理干净气泵缸壁,不能有任何残渣.
2.检查缸壁是否被磨损,好利旺真空泵碳片,(注:碰到不好的碳片,硬度太高容易磨损缸壁).
3.安装碳片时,注意倒角方向千万别装反了,那样很快就会打碎碳片.
4.定期***气泵轴承,加注高温润滑油,如轴承损坏会导致意想不到的故障,后果严重.
5.进气口滤芯要保持良好工作性能,定期更换,***.
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真空泵碳片的***
真空泵碳片目前适用于各行业,规格已上千多种,无法明细列出,
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