氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬(Cr2O3)为主
氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬 ( Cr2O3)为主要成分，方镁石和尖晶石为主要矿物组分的耐火材料制品。这类砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。 氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。3、热膨胀系数小，相比碳化硅等制品热导率高，不易产生热应力，具有良好热震稳定性，使用寿命长。α和β两相是Si3N4常出现的型式，且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa。 氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不***。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。 制造氮化硅砖的主要原料是烧结镁砂和铬铁矿。镁砂原料的纯度要尽可能高，铬铁矿化学成分的要求为：Cr2O330～45%，CaO不大于1.0～1.5%。 烧制氮化硅砖的生产工艺与镁质砖大体相仿。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。
Si3N4陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料
Si3N4 陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料，能发挥优势的是其在高温领域中的应用。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。Si3N4 今后的发展方向是：⑴充分发挥和利用Si3N4 本身所具有的优异特性；⑵在Si3N4 粉末烧结时，开发一些新的助熔剂，研究和控制现有助熔剂的成分；⑶改善制粉、成型和烧结工艺； ⑷研制Si3N4 与SiC等材料的复合化，以便制取更多的复合材料。S 它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形状，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，这时整个坯体已经具有一定的强度。然后在1350℃～1450℃的高温炉中进行二次氮化，反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度99%的氮化硅。
常压烧结法(PLS)在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4
常压烧结法（ PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。Si3N4以针状或纤维状结晶存在于SiC晶粒之间，是一种重要的新型耐火材料。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷***致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似。
