9. Dummy Metal的增加。
Foundry厂都有对金属密度的规定，使其金属密度不要低于一定的值，以防在芯片制造过程中的刻蚀阶段对连线的金属层过度刻蚀从而降低电路的性能。加入Dummy Metal是为了增加金属的密度。
10. DRC和LVS。
DRC是对芯片版图中的各层物理图形进行设计规则检查(spacing ，width)，它也包括天线效应的检查，以确保芯片正常流片。LVS主要是将版图和电路网表进行比较，来保证流片出来的版图电路和实际需要的电路一致。DRC和LVS的检查--EDA工具 Synopsy hercules/ mentor calibre/ CDN Dracula进行的.Astro also include LVS/DRC check commands.
11. Tape out。
在所有检查和验证都正确无误的情况下把后的版图GDSⅡ文件传递给Foundry厂进行掩膜制造。
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数字IC密码算法介绍
数字IC密码算法主要分三类：对称算法、非对称算法、杂凑算法。
***1对称密码算法：一种分组密码算法，分组长度为128位，密钥长度为128比特。
主要产品有：智能IC卡、智能密码钥匙、加密卡、加密机等安全产品。
***2椭圆曲线公钥密码算法（非对称）：一种椭圆曲线公钥密码算法，其密钥长度为256比特。
***3杂凑算法：一种密码杂凑算法，其输出为256比特。
适用于***22椭圆曲线公钥密码算法中的数字签名和验证。
***4对称密码算法：一个分组算法，用于无线局域网产品。
***7对称密码算法：一种分组算法，分组长度为128比特，密钥长度为128比特。
适用于非IC卡应用，例如门禁卡、参赛证、门票，***类校园一卡通，公交一卡通，企业一卡通
*****9非对称算法：**是基于对的标识密码算法，与***2类似。区别于***2算法，***9算法是以用户的标识（例如：、邮箱等）作为公钥，省略了交换数字证书公钥过程。
适用于云存储安全、物联网安全、电子邮件安全、智能终端保护等。
杂质半导体 在本征半导体中，如果掺入微量的杂质(某些特殊元素)，将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电能力显著改变。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为电子型半导体(N型)和空穴型半导体(P型)两大类。
1.N型半导体
若在纯净的硅晶体中掺入微量的五价元素(如磷)，这样，硅原子占有的某些位置会被掺入的微量元素(如磷)原子所取代。而整个晶体结构基本不变。磷原子与硅原子组成共价键结构只需四个价电子，而磷原子的外层有五个价电子，多余的那个价电子不受共价键束缚，电压数字变动，只需获得很少的能量就能成为自由电子。由此可见，掺入一个五价元素的原子，就能提供一个自由电子。必须注意的是，产生自由电子的同时并没有产生空穴，但由于热运动原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。所以，只要在本征半导体中掺入微量的五价元素，就可以得到大量的自由电子，且自由电子数目远比掺杂前的电子空穴对数目要多得多。
这种以自由电子导电为主要导电方式的杂质半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。N型半导体中存在着大量的自由电子，这就提高了电子与空穴的复合机会，相同温度下空穴的数目比掺杂前要少。所以，增城数字电压，在N型半导体中，电子是多数载流子(简称多子)，空穴是少数载流子(简称少子)。N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质浓度越高，自由电子数目越大，导电能力也就越强。
在N型半导体中，多路数字电压表，一个杂质原子提供一个自由电子，当杂质原子失去一个电子后，就变为固定在晶格中不能移动的正离子，但它不是载流子。因此，N型半导体就可用正离子和与之数量相等的自由电子去表示。
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