退火炉
退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。热释光探测器热释光探测器（TLD）是利用热致发光原理测量辐射的装置。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。
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热释光理论诠释
物理机制是发光体被激发时产生了离化，被离化出的电子将进入导带，这时它或者与离化中心复合产生1发光 ，或者被材料中的陷阱俘获。所谓陷阱是缺陷或杂质在晶体中形成的局部反常结构。它在禁带中形成了局域性能级，可以容纳和储存电子。这些电子只有通过热、光、电场的作用才能返回到导带，到导带后它们或者和离化中心复合产生1发光，或者再次被陷阱俘获。退火炉炉衬结构易烧损和收缩的现象退火炉炉衬吊挂在钢骨架上，钢骨架由型钢、钢板等焊接而成，轻巧并可靠。由热释放出的电子同离化中心复合所产生的发光，就叫作热释光。热释光是形成长余辉发光的重要原因，有的材料的长余辉可以延续到十多个小时。
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退火
热释光剂量计是利用屏，体中的空穴储存射线的能量而估计射线的照射剂量的，因而每次测量后需经退火将残留剂量去除，以免影响下一次的使用，不同的热释光剂量训一需要不同的退火温度，所以温度的选择是十分重要的，温度高了可能损坏剂量元件，反之，温度低了残留剂量去除不净，所以退火装置的温度要严格控制，尤其具有多个发光峰的热释光元件，需在不同温度下多次退火，所以更应慎重。对于有些片状的剂量元件，退火时还应注意元件的变形问题，否则会影响测量结果。对于有些片状的剂量元件，退火时还应注意元件的变形问题，否则会影响测量结果。一般情况下，退火后对剂量元件迅速降温，可提高剂量元件的灵敏度(玻璃管的剂量剂须注意爆裂问题)。
