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高亮度垂直结构LED 通常情况下，蓝光/绿光LED是由几微米厚的氮化（GaN）薄膜在蓝宝石衬底上外延生长形成的。 一些LED的制造成本主要取决于蓝宝石衬底本身的成本和划片-裂片加工成本。对于传统的LED倒装横向结构，蓝宝石是不会被剥离的，因此，阴极和阳极都在同一侧的氮化外延层（epi）。 这种横向结构对于高亮度LED有几个缺点：材料内电流密度大、电流拥挤、可靠性较差、寿命较短；此外，通过蓝宝石的光损很大。
垂直LED结构要求在加电极之前剥离掉蓝宝石。准分子聚广恒光纤激光打标机器已被证明是分离蓝宝石与氮化薄膜的有效工具。LED聚广恒光纤激光打标机剥离技术大大减少了LED加工时间，降低了生产成本，使制造商在蓝宝石晶圆上生长氮化LED薄膜器件，并使薄膜器件与热沉进行电互连。这个工艺使得氮化薄膜可以***于支撑物，并且氮化LED可以集成到任何基板上。
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