集成电路规模的飞速增长，使得集成电路功能复杂度日益提升，一方面为信息技术产业带来了生机和活力，另一方面也产生了许多问题和挑战。集成电路的功能正确性是这些问题和挑战中的首要考虑因素，必须引起我们足够的重视。传统的功能验证主要通过验证工程师手工编写测试激励来进行，验证效率较为低下。
随着技术的发展，黄埔区数字ic，OVM、UVM等***的验证方法被成功引入，扩充了验证技术库。但这些验证方法主要基于信号层级或事务层级来进行，并没有从更高层次的功能点角度去考虑验证问题。功能点的标准化概括、提取和层次分解仍然存在不足，而且测试激励需要人为去进行封装和***，一定程度加大了验证平台搭建难度。为了弥补验证技术上在功能建模和激励自动生成上的缺陷，从不同角度去探究新的验证方法，课题组开展了相应的研究工作。
研究工作和技术进步主要包括以下几点:1、基于集成电路功能特点以及对功能规范的分析，针对集成电路功能验证需求，课题组共同创建了基于功能规范的功能模型F-M；针对该功能模型，开发出一套功能模型描述语言，并定义相应语***则，用以描述数字系统、IP核等模块的功能行为。2、利用语言C/C 编写出解析编译器P-C，对上述功能模型语言进行解析，自动生成激励生成器和断言检测器，构建出SystemVerilog验证平台，自动产生测试激励。
IC常见的问题
EM (electron migration，电子迁移)
“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，电子流动所产生的作用就越大，其彻底***IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。
NBTI 、HCI、TDDB
这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。
罪魁祸首 ： SiOHSiOH
MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，数字ic设计 常用软件，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，数字IC，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。
数字电路高温老炼测试系统是一种用于数字电路老化筛选的***试验设备，它可实现在动态老炼过程中对器件进行功能测试。首先概括介绍了可靠性筛选试验、器件高温老炼原理和方法等基础知识，并在阐述数字电路动态功率老炼和在线功能测试基本原理的基础上，对该系统的硬件组成、工作原理、结构特征、技术指标等方面做了介绍。
将***放在系统软件的开发和设计上。对用户需求和软件设计要求分析后，首先根据系统功能对软件进行总体设计，确定了两个主功能模块：功率老炼模块、功能测试模块和三个辅助模块：工作电压控制模块、测试器件数据库管理模块、结果处理模块，并将主模块细分出若干子功能模块。然后结合设计语言——Delphi的特点，进一步详细论述了各功能模块的设计和软件实现，并给出相应的程序实现界面。 后总结了该系统软件的特点，并提出了软件进一步完善的方案。
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