因此，研磨不仅是为了达到一定的粗糙度和高的形状精度，而且也是为了提高工件的强度。研磨工程陶瓷用的磨料主要是B4C和金刚石粉。在研磨加工中，研磨参数选择合理时可以达到1Lm/m的形状精度和Ralt;0.3Lm的粗糙度。抛光是采用软质抛光器和细粉磨粒以较低的压力作用于工件的一种精加工过程。软质抛光器以弹塑性方式保持着磨粒对加工工件的切深非常浅，人造刚玉陶瓷加工件，通过产生微小的压痕进行加工。近几年抛光技又有了新的发展，如超声抛光、电加工复合抛光等。
工程陶瓷材料是由粉状原材料在高温高压下烧结而成。由于烧结时收缩率较大，无法保证烧结后尺寸精度，而作为工件使用的工程陶瓷件都有一定的形位尺寸精度和表面质量要求，因此需要进行再加工。于I程陶瓷材料硬度高、脆性大，属难加工材料，一般加工方法有机械加工、电加工、光加工、超声波加工等。陶瓷材料的结构与特性：陶瓷是典型的硬脆材料，一般定义为由氧碳、硅、硼等元素烧结而成的无机非金属材料。
SiC陶瓷的生产工艺
碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态分为固相合成法和液相合成法。
固 相 合 成 法
固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。碳热还原法又包括阿奇逊法、竖式炉法和高温转炉法。阿奇逊法首先由Acheson发明，是在Acheson电炉中，石英砂中的二氧化硅被碳所还原制得SiC，实质是高温强电场作用下的电化学反应，己有上百年大规模工业化生产的历史，这种工艺得到的SiC颗粒较粗。此外，三辊研磨机陶瓷加工件，该工艺耗电量大，其中用于生产，为热损失。
20世纪70年***展起来的法对古典Acheson法进行了改进，80年代出现了竖式炉、高温转炉等合成β一SiC粉的新设备，90年代此法得到了进一步的发展。Ohsakis等利用SiO2与Si粉的混合粉末受热释放出的SiO气体，与活性炭反应制得日一，非磁性陶瓷加工件，随着温度的提高及保温时间的延长，放出的SiO气体，粉末的比表面积随之降低。
硅、碳直接反应法是对自蔓延高温合成法的应用，南阳陶瓷加工件，是以外加热源点燃反应物坯体，利用材料在合成过程中放出的化学反应热来自行维持合成过程。除引燃外无需外部热源，具有耗能少、设备工艺简单、生产率高的优点，其缺点是目发反应难以控制。此外硅、碳之间的反应是一个弱放热反应，在室温下反应难以点燃和维持下去，为此常采用化学炉、将电流直接通过反应体、对反应体进行预热、辅加电场等方法补充能量。
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