光刻胶国内研发现状
“造成与国际水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的***，而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，负性光刻胶厂家，核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。
光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、***数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，负性光刻胶公司，对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展
NR77-25000P，陕西负性光刻胶，RD8
品牌
产地
型号
厚度
***
应用
加工
特性
Futurrex
美国
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
用于i线***的负胶
LEDOLED、
显示器、
MEMS、
封装、
生物芯片等
金属和介电
质上图案化，
不必使用RIE
加工器件的永
组成
（OLED显示
器上的间隔
区）凸点、
互连、空中
连接微通道
显影时形成光刻胶倒
梯形结构
厚度范围：
0.5～20.0 μm
i、g和h线***波长
***
对生产效率的影响：
金属和介电质图案化
时省去干法刻蚀加工
不需要双层胶技术
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
0.7μm~2.1μm
粘度增强
NR9-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR71G-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
负胶对 g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71G-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR71G-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
粘度增强
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR9G-6000PY
5.7μm~12.2μm
品牌
产地
型号
厚度
耐热温度
应用
Futurrex
美国
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介
光刻胶具有光化学敏***，其经过***、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。
光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶专用***，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，负性光刻胶哪家好，需求较为分散。
光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占***市场24.5%，半导体IC光刻胶占***市场24.1%，LCD光刻胶占***市场26.6%。
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