目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，氧化锌晶体单晶厂家，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料，因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。
氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，氧化锌晶体单晶厂，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。
氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，乌鲁木齐氧化锌晶体单晶，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比，氧化锌晶体单晶衬底， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
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