光刻胶定义
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外***或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC)，光刻胶报价，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED，LCD，OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。
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光刻胶工艺
主要用于半导体图形化工艺，是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40 步以上***的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的***程度决定了半导体制造工艺的***程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的核心设备。目前，A***L 的NXE3400B售价在一亿欧元以上，媲美一架F35 战斗机。
按***波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（PCB）用光刻胶、液晶显示（LCD）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。PCB光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术***水平。
光刻胶分类概述
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基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型，厚光刻胶报价，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，然后生成聚合物，具有形成正像的特点。
②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，其分子中的双键被打开，负光阻光刻胶报价，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
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