反应性离子刻蚀
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反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，挥发或游离出板面，这样的方法称为反应性离子刻蚀。
离子束刻蚀机
表面抛光
离子束能完成机械加工中的后一道工序一-精抛光，以消除机械加工所产生的刻痕和表面应力。加工时只要严格选择溅射参数(入射离子能量、离子质量、离子入射角、样品表面温度等)，光学零件就可以获得较佳的表面质量，且散射光较小。离子束拋光激光棒和光学元件的表面，表面可以达到较高的均匀和一致性，而且元件本身在工艺过程中也不会被污染。
离子束
1.蚀刻加工：离子蚀刻用于加工陀螺仪空气轴承和动压马达上的沟槽，分辨率高，精度、重复一致性好。离子束蚀刻应用的另一个方面是蚀刻图形，如集成电路、光电器件和光集成器件等征电子学构件。太阳能电池表面具有非反射纹理表面。离子束蚀刻还应用于减薄材料，制作穿透式电子显微镜试片。2.离子束镀膜加工：离子束镀膜加工有溅射沉积和离子镀两种形式。离子镀可镀材料范围广泛，不论金属、非金属表面上均可镀制金属或非金属薄膜，各种合金、化合物、或某些合成材料、半导体材料、高熔点材料亦均可镀覆。
