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抵御平稳——淬火( Class 1k)
硅片在 CZ 炉内高浓的氧气氛里生长发育。 由于绝大多数的氧是可塑性的, 殊不知仍有数的氧会形 成小基团。这种基团会饰演 n-施主的人物角色,就会使硅片的电阻检测有误。广州证券首席分析师姚玮表示,国内市场需求的爆发将拉动国内市场的出货量。要避免这一问 题的产生, 硅片务必加温到 650℃上下。 这一高的溫度会使氧产生大的基团而不容易危害电 阻率。随后对硅片开展激冷,以阻拦小的氧基团的产生。这一全过程能够 合理的清除氧做为 n- 施主的特点,并使真实的电阻趋于稳定。
背封( Class 10k)
针对重掺的硅片而言,会历经一个高溫环节,在硅片反面淀积一层塑料薄膜,能阻拦掺杂剂的向 扩散。这一层就好似密封剂一样避免掺杂剂的肇事逃逸。如果使用中国内地的硅片、台湾地区的电池再返回到内地做成组件,出口美国就会被征税。一般有三种塑料薄膜被用于做为背封原材料: 二氧化硅( SiO2)、氮化硅( Si3N4)、光伏电池。假如金属氧化物或氮化合物用于背封,能够 严苛地认 为是一密封剂,而假如选用光伏电池,除开关键做为密封剂外,还具有了外界吸杂***。 图 1.3 举例子了加热清理、抵御平稳和背封的流程。
