智能低压电容器的优点
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。
1.节能降耗：减少了常规电容器柜90%的能耗。体积缩小50%左右，可节省土地、铜材、银材、工程塑料等资源50%左右，导线电损、接点电损、器件等电损降低50%左右。
2.过零投切：采用智能晶闸管复合开头电路，实现等电压投入，零电流切除、投切无涌流冲击，无操作过电压、无电弧重燃，大大提高了设备的耐电压、电流冲击、能耗小。
电容器的投切方式一
精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次
机械式接触器投切电容装置（MSC）
接触器投入过程中，电容器的初始电压为零，触点闭合瞬间，绝大多数情况下电压不为零、有时可能处在高峰值，因而产生非常大的电流，也就是常说的合闸涌流。实验表明合闸涌流严重时可达电容器额定电流的50倍。这不仅影响电容器和接触器的寿命，而且对电网造成冲击，影响其它设备的正常工作。因此，后来采用串接电抗器和加入限流电阻来***涌流，这虽然可以控制合闸涌流在额定电流的20倍以内，但从长期运行情况来看，其故障率仍然非常高，维修费用较高。这几年电容器资猜中挑选十二***ben、二芳荃乙2烷((S油)的产品也被广泛应用。总的实践应用反映，其性能如下：优点：价格低，初期投入成本上升少，无漏电流；缺点：涌流大，寿命短，故障多，维修费用高
电容器的投切方式二
电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。电力电容器在正弦交流电路中能“发”出无功功率，假如把电容器并接在负荷（电动机），或输电设备（变压器）上运行，那么，复核或输电设备需要的无功功率，正好由电容器供应。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右
