氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。采用水热法，氧化锌晶体单晶价钱，可以从KOH和LiOH混合水溶液中生长ZnO晶体。
氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，氧化锌晶体单晶厂家，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，甘肃氧化锌晶体单晶，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，氧化锌晶体单晶价格，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。
氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um gt; 50% at 2mm；晶向：lt;0001gt;、lt;11-20gt;、lt;10-10gt;±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底。氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。
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