





离子束刻蚀
离子束刻蚀以离子束为刻蚀手段达到刻蚀目的的技术,其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束较小直径约10nm,离子束刻蚀的结构较小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下,较以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀,故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入,甚至无显影刻蚀,直接制造各种纳米器件结构。但是,在离子束加工过程中,损伤问题比较突出,且离子束加工精度还不容易控制,控制精度也不够高。
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刻蚀机
刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度,就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上,即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜,而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上,以上三个部分都会被刻蚀,只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U(V为对薄膜的刻蚀速率,U为对掩膜或衬底的刻蚀速率),S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同,从而也导致图形转移的不均匀,等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外,刻蚀速率也是一个重要指标,它用来衡量硅片的产出速度,刻蚀速率越快,则产出率越高。
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影响离子束刻蚀的因素
影响刻蚀效果的因素很多,还有诸如离子刻蚀的二次效应、光刻胶掩模图形的形状和厚度、源靶距效应、离子刻蚀弓起的材料损伤及温度效应等。
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