




氧化锌(ZnO)的带边发射在紫外区,非常适宜作为白光LED的激发光源材料,凸显了氧化锌(ZnO)在半导体照明工程中的重要地位,并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比,氧化锌(ZnO)晶体主要性能参数:晶体结构:六方;晶格常数:a=3.252A c=5.313 A;密度:5.7(g/cm3);硬度:4(mohs);熔点:1975℃;热膨胀系数:6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。

目前,江西氧化锌晶体,生长氧化锌(ZnO)单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。基于氧化锌(ZnO)的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌(ZnO)材料的新的研究热潮.氧化锌(ZnO)以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,氧化锌晶体单晶批发,因此对氧化锌(ZnO)单晶的研究有重要的理论和实践意义。

氧化锌(ZnO)晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。 氧化锌(ZnO)晶体在1975℃同成分熔化,在较高的温度下非常不稳定,氧化锌晶体多少钱,不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。常见的氧化锌(ZnO)属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌(ZnO)单晶具有极性。

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