氧化镁（MgO）是镁的氧化物，一种离子化合物。常温下为一种白色固体。氧化镁以方镁石形式存在于自然界中，是冶镁的原料。氧化镁有高度耐火绝缘性能，经1000℃以上高温灼烧可转变为晶体。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 A；熔点（℃）：2800；纯度：99.95%；密度（g/cm3）：3.58；硬度：5.5（mohs）；热膨胀系数（/℃）：11.2x10-6；晶体解理面：lt;100gt;；光学透过：gt;90%（200~400nm），gt;98%（500~1000nm）；介电常数：ε= 9.65；热导率（卡／度 厘米 秒）：0.14 300°K。
氧化镁(MgO)单晶是指MgO含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温（高温2500℃，低温-270℃）抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。氧化镁(MgO)单晶广泛用于航空、航天、国1防通讯、医1疗器械、光学仪器、等离子电视机保护膜蒸发源等领域。在等离子显示屏PDP中更是理想的电板保护膜材料是决定PDP寿命的主要因素，同时对PDP的工作性能(亮度和光效记忆容量着火电压等)有较好影响。
随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，氧化镁(MgO)单晶的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧化镁(MgO)单晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之间，甚至更大。目前生产氧化镁(MgO)晶体的主流技术是电弧炉熔融法。主要通过高温电弧作热源在原料中心形成熔体，在加热过程停止后熔体经自然冷却得到晶体。传统的电弧炉的结构较为简单，炉壳是由耐火砖与钢壳构成，电极的功率和位置控制主要是靠经验手动操作。
氧化镁晶体属于氧化镁产品中的产品，科技含量高，附加值大。因此高质量氧化镁晶体产品的研制和生产，对开发我国特有的资源优势有着十分重要的意义。对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。氧化镁（MgO）单晶是非常重要的基片材料和光学材料,在很多领域有重要的应用。
