为了保证化学抛光的效果，必须使金属表面溶解，并在表面上形成液体膜或固体膜。因此，金属的化学抛光液必须具有溶解金属的能力和形成保护膜的能力。化学抛光液的基本组成一般包括腐蚀剂、氧化剂、添加剂和水。腐蚀剂是主要成分，如果零件在溶液中不溶解，抛光就不能进行。氧化剂和添加剂可***腐蚀过程，使反应朝有利于抛光的方向进行。水对抛光液浓度起调节作用，便于反应产物的扩散。
含量控制.采用磷酸基化学抛光槽液时,含量应控制在规定的范围内,通常按照化学分析结果调整,特别要掌握添加的规律,并安全操作.有经验的化学抛光操作人员,可以从化学抛光表面光亮度判明含量,通常,的消耗量为化学抛光槽液消耗量的1%~2%（体积分数）.若不及时补加,铝合金型材表面会出现光亮度不足等现象.如果含量太低,可以看到化学抛光后的铝合金型材光亮度不满意或看到细小的白色附着物斑点等缺陷.若含量太高,可能出现浅蓝色至橙色彩虹膜.
化学抛光溶液：
化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、***、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。
化学抛光操作步骤
1：试样准备：试样经精磨光后清洗。
2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，***用化学纯***。某些不易溶于水的***需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。
3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。
4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
