具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻***工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。总体上来说，正是因为很难有效控制空气分子污染，致使该问题成为了影响相关产品成品率的重要问题。直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。
湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。使用固定的振动剪，双手握住钢板，手从刀口处不得小于5cm，力应该是均匀的和适当的。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产佳温度范围为35—45%。
成品保护后续工序施工时，地板面需盖上干净的布匹，防止损坏和污染。辅助用房地砖面层：按设计要求和有关标准选材，粘贴做到不空鼓，平整度、高低差＜1mm，砖缝用专用的勾缝胶勾缝，做到平整、与地砖粘结牢固。回风管及回风口处理：图纸设计为侧墙面回风，为了保证墙面平整，不增加凹凸面，将回风立管移至***室的两斜对角处。洁净***室门宜采用设有自动延1时关闭装置的电动悬挂式自动推拉门，设计为弹簧门，应以铝合金制作，要达到密封和易洁净的要求。
实验室净化工程为客户提供的是一站式“交钥匙”工程，降低了采购成本，可减少客户大量的精力、物力和人力的投入，客户无需考虑过多的技术细节问题。有了整体实验室净化工程解决方案，就如同为客户提供一个统一的界面，将所有的设备供应商、工程承包商、服务供应商整合在一起，系统化的进行设备配置，保证了整个实验室的容量和设备间的配套，满足当前和未来发展的需要。有了整体实验室净化工程解决方案，就如同为客户提供一个统一的界面，将所有的设备供应商、工程承包商、服务供应商整合在一起，系统化的进行设备配置，保证了整个实验室的容量和设备间的配套，满足当前和未来发展的需要。
