




光刻胶的概述
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过***后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过***后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显影后,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率(即光刻工艺中所能形成图形)不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。

如何选购光刻胶?
光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在***之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未***的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未***的区域将溶解,而***的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的,因此在IC制造中的应用更为普及,但MEMS系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。

正性光刻胶的操作工艺
(1)合成醛树脂。将原料混和甲醛送人不锈钢釜,加入适量草酸为催化剂,加热回流反应5~6h,然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚,得到醛树脂。(2)合成感光剂。在装有搅拌器的夹套反应罐中,先将三羟基二苯甲酮和215酰氯加至中搅拌下溶解,待完全溶解后,滴加有机碱溶液做催化剂,控制反应温度30~35℃,滴加完毕后,继续反应1h。将反应液冲至水中,感光剂析出,离心分离,干燥。(3)配胶。将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶,然后调整胶的各项指标使之达到要求。后过滤分装,光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤,然后转入超净间(100级)进行超净过滤,滤膜孔径0.2mm,经超净过滤的胶液分装即为成品。