靶材清洁
首先，浸泡过的无绒软布清洁;第二部用酒精清洁;第三步用去离子水清洗。在用去离子水清洗过后再将靶材放置在烘箱中以100摄氏度烘干30分钟。氧化物及陶瓷靶材的清洗建议用“无绒布”进行清洁。
第四步用高压低水气的气冲洗靶材，以除去所有可能在溅射系统中会造成起弧的杂质微粒。
短路及密封性检查：靶材完成安装后需要对整个阴极进行短路检查及密封性检查，建议通过使用电阻仪摇表的方式对阴极是否存在短路进行判断。在确定阴极不存在短路后，可以进行检漏检查，将水通入阴极确定是否存在漏水现象。
靶材的主要性能要求
纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。ZGSPt的再结晶温度比纯铂高200℃，高温强度接近PtRhlO合金，在1400℃及5MPa应力作用下其高温断裂寿命是纯铂的100余倍。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量：靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和性元素含量都有特殊要求。
***的管材规格多，但应用量少，因此焊接后拉拔成型是目前普遍采纳的工艺，关键在于操作时的细致，必需焊透（不能添加焊药、焊剂），在焊缝中不能存在任何细小的气泡，在内外模的配合下，掌握好压缩比，就可以生产出内外光洁，无任何缺陷，又符合规格要求的管材来。按照每批实验设计分别准确称取所需的碘和KI的量，并将其配制成30ml的碘-碘化钾溶液，分别装入预先编号的铝箔包覆的烧杯中。
***的丝材和管材是***生产制造厂的重要内容之一，选择理想的拉丝机、拉管机、退火设备、焊接设备，一般熟练的操作工便可以得心应用，生产出理想的产品。